Theo Androidauthority, Snapdragon 835 và Snapdragon 660 hôm nay đã cùng lộ diện chi tiết trên trang web công nghệ Trung Quốc Anzhuo.cn. Trong hình ảnh, bạn có thể thấy rằng Snapdragon 835 sẽ trang bị 8 lõi Kryo 200 chia làm 2 cụm trên kiến trúc 10nm, đồ họa Adreno 540, modem LTE X16. Để so sánh, Snapdragon 820 dùng 4 lõi Kryo, đồ họa Adreno 530 và modem LTE X12.
Như vậy, Snapdragon 835 có thể cung cấp tốc độ truyền tải LTE lên đến 1 Gbps, hỗ trợ tới 4 RAM LPDDR4X-1866 cùng bộ nhớ flash UFS2.1. Đặc biệt, trong hình ảnh, vi xử lý này được đề là sẽ có mặt trên Samsung Galaxy S8 và giới thiệu tại MWC 2017 tới đây.
Không chỉ Snapdragon 835 mà Snapdragon 660 cũng đã xuát hiện, chip này sử dụng quy trình sản xuất 14nm với 4 lõi tốc độ 2.2 GHz và 4 lõi 1.9 GHz, vi xử lý này đi kèm đồ họa Adreno 512, modem LTE X10, hỗ trợ 2 RAM LPDDR4X-1866 cùng bộ nhớ flash UFS2.1. Đây sẽ là vi xử lý thế hệ tiếp theo kế thừa Snapdragon 652.
Cũng trong tuần trước, Qualcomm đã khẳng định rằng Snapdragon 835 sẽ sử dụng quy trình 10nm FinFET của Samsung, hỗ trợ sạc nhanh Quick Charge 4.0 với khả năng sạc 5 phút sử dụng trong 5 giờ.
Theo tgdd
0 nhận xét:
Đăng nhận xét